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    • RIE-200C 是一種盒式設(shè)備，用于大規(guī)模生產(chǎn)，基于 RIE-10NR 的經(jīng)驗(yàn)，該設(shè)備具有豐富的平行平板 RIE 設(shè)備交付記錄。
    • RIE-200NL 是一種負(fù)載鎖定設(shè)備，基于 RIE-10NR 的經(jīng)驗(yàn)，該設(shè)備具有豐富的平行平板 RIE 設(shè)備交付記錄。
    • RIE-10NR 是一種平行平板反應(yīng)離子蝕刻 （RIE）設(shè)備，用于各向異性加工各種硅薄膜，如 Si、Poly-Si、SiO_和 SiN。
    • RIE-230iP 是一種負(fù)載鎖定 ICP 蝕刻設(shè)備，采用電感耦合等離子體（工業(yè)層壓 Plasma）作為放電形式，旨在高速加工各種材料的超精細(xì)。
    • RIE-400iP 是 Max.4“ 晶圓的負(fù)載鎖定蝕刻設(shè)備，用于各種半導(dǎo)體膜和絕緣膜的高精度、高均勻性。
    • 高密度等離子蝕刻裝置，采用電感耦合等離子體（工業(yè)塑料廣場）作為放電形式。 該設(shè)備具有負(fù)載鎖室，具有出色的工藝可重復(fù)性和穩(wěn)定性。
    • RIE-350iPC 是一種 ICP 蝕刻設(shè)備，用于化合物半導(dǎo)體工藝的多片同時處理，在放電形式中采用電感耦合等離子體（ 工業(yè)堆疊 Plasma）
    • 高密度等離子蝕刻裝置，采用電感耦合等離子體（工業(yè)塑料廣場）作為放電形式。 無負(fù)載鎖室的設(shè)備配置可實(shí)現(xiàn)低成本和節(jié)省空間，同時配備 2 個盒式磁帶。
    • 高密度等離子蝕刻裝置，采用電感耦合等離子體（工業(yè)塑料廣場）作為放電形式。 該裝置是一種全 面生產(chǎn)設(shè)備，具有真空盒室，具有優(yōu)異的工藝可重復(fù)性和穩(wěn)定性。 它成為直徑為 ±4 英寸的晶圓專用設(shè)備，可以安裝在節(jié)省空間的地方。
    • 高密度等離子蝕刻裝置，采用電感耦合等離子體（工業(yè)塑料廣場）作為放電形式。 該裝置是一種全 面生產(chǎn)設(shè)備，具有真空盒室，具有優(yōu)異的工藝可重復(fù)性和穩(wěn)定性。
    • 高密度等離子蝕刻裝置，采用電感耦合等離子體（工業(yè)塑料廣場）作為放電形式。 該裝置具有兩個反應(yīng)室，提高了區(qū)域生產(chǎn)率，是一種具有出色工藝再現(xiàn)性和穩(wěn)定性的正宗生產(chǎn)設(shè)備。
    • PD-100ST 是一種低溫、高速等離子CVD設(shè)備，用于通過 TEOS 形成氧化硅膜 （SiO+），用于液體材料。
    • PD-330STC 是一種用于形成絕緣膜的等離子 CVD 設(shè)備，專為 TSV（Si 通孔）開發(fā)。
    • PD-270STLC 是一種低溫、高速等離子 CVD 設(shè)備，用于通過 TEOS 形成氧化硅膜 （SiO+），用于液體材料。
    • PD-200STL 是一種高速等離子CVD設(shè)備，用于通過液體源形成氧化硅 （SiO2） 膜和氮化硅 （SiN） 膜。
    • 小直徑晶片多片處理用等離子體CVD裝置
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